第二屆先進(jìn)半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議（ASDIT 2026）將于2026年8月28-30日在中國(guó)江蘇無(wú)錫舉辦。本次會(huì)議旨在匯聚全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的頂尖學(xué)者、行業(yè)專家和企業(yè)領(lǐng)袖，共同探討最新的研究成果和技術(shù)進(jìn)展。會(huì)議將涵蓋先進(jìn)半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)、制造、材料及其在各類應(yīng)用中的創(chuàng)新，包括人工智能、量子計(jì)算和5G通信等前沿科技。與會(huì)者將有機(jī)會(huì)參加主題演講、專題討論和技術(shù)展示，深入了解行業(yè)動(dòng)態(tài)，分享前沿經(jīng)驗(yàn)。
我們誠(chéng)邀全球的專家學(xué)者參與此次盛會(huì)，共同推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展。期待與您相聚無(wú)錫，共同探索未來(lái)科技的無(wú)限可能！
第二屆先進(jìn)半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議（ASDIT 2026）
2026 2nd International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Integration Technology
2026年8月28日-30日，中國(guó)-江蘇-無(wú)錫
會(huì)議官網(wǎng)：www.asdit.org【參會(huì)投稿】
截稿時(shí)間：見(jiàn)官網(wǎng)
論文檢索：EI, Scopus
【會(huì)議回顧】ASDIT 2025會(huì)議論文集已提交IEEE(ISBN:979-8-3315-9671-2)并完成見(jiàn)刊出版
【組織單位】
主辦單位：江南大學(xué)
承辦單位：江南大學(xué)集成電路學(xué)院、江南大學(xué)理學(xué)院、無(wú)錫市第三代半導(dǎo)體器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、江南大學(xué)-康訊半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室
【大會(huì)嘉賓】
大會(huì)主席
楊國(guó)峰教授，江南大學(xué)，理學(xué)院院長(zhǎng)，IEEE Member
顧曉峰教授，江南大學(xué)，集成電路學(xué)院院長(zhǎng)
敖金平教授，江南大學(xué)，IEEE Senior Member
技術(shù)程序委員會(huì)主席
余建軍教授，復(fù)旦大學(xué)，IEEE Fellow
李楊副教授，江南大學(xué)
Mário Fernando Santos Ferreira教授，阿威羅大學(xué)
Mohd Aliff Afira Bin Hj. Sani副教授，吉隆坡大學(xué)
出版主席
姜巖峰教授，江南大學(xué)，IEEE 高級(jí)會(huì)員
劉璋成副教授，江南大學(xué)
當(dāng)?shù)匚瘑T會(huì)主席
王霄副教授，江南大學(xué)，IEEE Member
【征稿主題】
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半導(dǎo)體器件 |
集成技術(shù) |
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新型半導(dǎo)體材料及其在器件中的應(yīng)用 高性能MOSFET設(shè)計(jì)與優(yōu)化 能耗效率優(yōu)化的功率器件技術(shù) 超越硅的III-V族化合物半導(dǎo)體器件 微光電半導(dǎo)體傳感器及其應(yīng)用 半導(dǎo)體激光器及其新興應(yīng)用領(lǐng)域 石墨烯和其他二維材料器件 量子點(diǎn)和量子阱半導(dǎo)體器件 新型存儲(chǔ)器器件：RRAM, MRAM, FeRAM 低溫電子器件的挑戰(zhàn)與機(jī)遇 高頻和高功率器件的突破性技術(shù) 硅基光電子器件及其集成技術(shù) 隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)器件研究 半導(dǎo)體器件的可靠性與老化機(jī)制 先進(jìn)封裝和互連結(jié)構(gòu)對(duì)器件性能的影響...... |
三維集成電路及其制造工藝 片上系統(tǒng)(SoC)與集成方法 芯片異構(gòu)集成技術(shù) 封裝級(jí)集成技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新 集成電路中的熱管理技術(shù) 射頻集成電路及其設(shè)計(jì)優(yōu)化 人工智能與機(jī)器學(xué)習(xí)在集成電路設(shè)計(jì)中的應(yīng)用 先進(jìn)模擬與混合信號(hào)集成電路 電源管理集成電路技術(shù) 集成電路設(shè)計(jì)中的可靠性與安全挑戰(zhàn) 硅光子學(xué)互連技術(shù) 超大規(guī)模集成技術(shù)的最新進(jìn)展 新興存儲(chǔ)器集成技術(shù) 模塊化MEMS與NEMS的集成應(yīng)用 智能傳感系統(tǒng)的集成與創(chuàng)新...... |
【論文出版】
文章先經(jīng)2-3位專家盲審，錄用的文章將會(huì)被遞交給IEEE(ISBN: 979-8-3195-2163-7)出版，見(jiàn)刊后由出版社整理提交至 EI, Scopus 檢索。
投稿須知
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論文必須是英文稿件，且論文應(yīng)具有學(xué)術(shù)或?qū)嵱脙r(jià)值，未在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)期刊或會(huì)議發(fā)表過(guò)。發(fā)表論文的作者需提交全文進(jìn)行同行評(píng)審，只做報(bào)告不發(fā)表論文的作者只需提交摘要。如需中→英翻譯：【艾思編譯】
作者可通過(guò)【iThenticate查重】、【Morressier AI檢測(cè)】自費(fèi)查重，否則由文章重復(fù)率引起的被拒搞將由作者自行承擔(dān)責(zé)任。涉嫌抄襲的論文將不被出版，且公布在會(huì)議主頁(yè)。
【參會(huì)方式】
所有參會(huì)人員均可申請(qǐng)報(bào)告或海報(bào)展示，可開(kāi)具證明
1、作者參會(huì)：一篇錄用文章允許一名作者免費(fèi)參會(huì)；
2、口頭演講：申請(qǐng)口頭報(bào)告，時(shí)間為15分鐘，摘要投稿可申請(qǐng)；
3、海報(bào)展示：申請(qǐng)海報(bào)展示，A1尺寸，彩色打??；
4、聽(tīng)眾參會(huì)：不投稿僅參會(huì)，也可申請(qǐng)演講及展示。
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